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Affichage 21 articles: FP25R12W2T4 à FQP13N50C (Page 235 sur 1235)

Transistor IGBT canal-N FP25R12W2T4
FP25R12W2T4
120.75€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 1200V 39A/50Ap 175W

 
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Transistor FQA10N80C
FQA10N80C
13.44€ TTC
3 En stock
3 En stock

Transistor FQA10N80C-F109 N-MOS 800V 10A/40Ap.240W 0.93R(6.32A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

 
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Transistor FQA13N50CF
FQA13N50CF
4.65€ TTC
22 En stock
22 En stock

Transistor FQA13N50CF N-MOS 500V 15A/60Ap.218W 0.43R(9.5A). DMOS. FRFET. Fast switching. Low gate charge(typical 43nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor FQA13N80-F109
FQA13N80-F109
21.67€ TTC
32 En stock
32 En stock

Transistor FQA13N80-F109 N-MOS 800V 12.6A/50.4Ap. 300W 0.58R(8A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12.6 A.

 
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Transistor FQA19N60
FQA19N60
17.14€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor FQA19N60 N-MOS 600V 18.5A/74Ap. 300W 0.3R(11.7A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18.5 A.

 
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Transistor FQA24N50
FQA24N50
21.67€ TTC
41 En stock
41 En stock

Transistor FQA24N50 N-MOS 500V 24A/96Ap. 290W 0.156R(12.5A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 24 A.

 
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Transistor FQA24N60
FQA24N60
24.92€ TTC
19 En stock
19 En stock

Transistor FQA24N60 N-MOS 600V 23.5A/94Ap. 310W 0.18R(14.9A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23.5 A.

 
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Transistor FQA28N15
FQA28N15
7.00€ TTC
310 En stock
310 En stock

Transistor FQA28N15 N-MOS 150V 33A/132Ap. 227W 0.067R(23.3A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 40nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor FQA36P15
FQA36P15
11.26€ TTC
243 En stock
243 En stock

Transistor MOSFET canal P 150V 36A/144Ap. 294W 0.076R (25.5A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 150V. Id(T:25): 36A. Puissance: 294 W. Id(T:100): 25.5A. Id(imp): 144 Ap. Idss (min): 10 uA. Idss (max): 100 uA. Vgs: 30V. Vgs(th

 
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Tarifs dégressifs

Transistor FQA62N25C
FQA62N25C
20.22€ TTC
49 En stock
49 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 250V 62A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 250V. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 298W. Résistance Rds: 0.029 Ohms.

 
 
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Transistor FQA70N10
FQA70N10
9.80€ TTC
21 En stock
21 En stock

Transistor MOSFET canal N 100V 70A/280Ap 214W 0.019R (49.5A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3PN. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 70A. Puissance: 214 W. Id(T:100): 49.5A. Id(imp): 280 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 25V. Vgs(th)

 
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Tarifs dégressifs

Transistor FQA70N15
FQA70N15
10.75€ TTC
2 En stock
2 En stock

Transistor MOSFET canal N 150V 70A/280Ap 330W 0.023R (50A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3PN. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 150V. Id(T:25): 70A. Puissance: 330 W. Id(T:100): 50A. Id(imp): 280 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 25V. Vgs(th) min.

 
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Transistor MOSFET canal-N FQA9N90C-F109
FQA9N90C-F109
15.57€ TTC
20 En stock
20 En stock

Transistor MOSFET canal-N 900V 9A/36Ap. 280W. Résistance passante RDSon : 1.12 Ohms (5.7A)

 
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Transistor FQAF11N90C
FQAF11N90C
14.11€ TTC
87 En stock
87 En stock

Transistor MOSFET canal N 900V 7A/28Ap 120W 0.91R (4.4A)

 
 
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Transistor FQB27P06TM
FQB27P06TM
5.04€ TTC
98 En stock
98 En stock

Transistor MOSFET canal P 60V 27A/108Ap 120W 0.083R (19.1A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: D2PAK. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 60V. Id(T:25): 27A. Puissance: 120 W. Id(T:100): 19.1A. Id(imp): 102 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. V

 
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Transistor FQD19N10L
FQD19N10L
3.98€ TTC
90 En stock
90 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de drain maxi: 15.6A. Puissance: 50W. Rds: 0.074 Ohm. LogarithmiqueIC Level N-Channel MOSFET. Boîtier: D-PAK (TO-252).

 
 
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Transistor FQD30N06L
FQD30N06L
4.48€ TTC
25 En stock
25 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 60V 24A/96Ap. 44W 0.031R (15A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FQD30N06LTF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO252 (D-PAK). Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 60V. Id(T:25): 24A. Puissance: 44 W. Id(T:100): 15A. Id(imp): 96 Ap. I

 
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Transistor FQP12N60C
FQP12N60C
8.79€ TTC
25 En stock
25 En stock

Transistor FQP12N60C N-MOS 600V 12A 225W 0.53R(7.4A). DMOS. QFET. Fast switch. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.4 A. Rds (Ohms): 0.53. Puissance: 225 W

 
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Transistor MOSFET canal-N FQP13N10
FQP13N10
3.70€ TTC
55 En stock
55 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 12.8A/51.2Ap. 65W. Résistance passante RDSon : 0.142 Ohms (9.05A)

 
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Transistor FQP13N50
FQP13N50
10.42€ TTC
3 En stock
3 En stock

Transistor FQP13N50 N-MOS 500V 12.5A 170W 0.33R (7.9A). N-Channel MOSFET (DMOS. QFET). Fast switching. IDM:50A. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB td(on)40nS. td(off)100nS. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.9 A.

 
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Transistor FQP13N50C
FQP13N50C
14.90€ TTC
15 En stock
15 En stock

Transistor FQP13N50C N-MOS 500V 13A 195W 0.39R (8A). N-Channel MOSFET (DMOS. QFET). Fast switching. IDM:52A. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB td(on)25nS. td(off)100nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 13 A.

 
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